【本站】7月3日消息，天岳先進在最近舉行的Semicon China展會上展示了其最新的技術(shù)成果。作為全球規(guī)模最大、最具影響力的半導體專業(yè)展，Semicon China覆蓋了芯片設(shè)計、制造、封測、設(shè)備、材料、光伏和顯示等產(chǎn)業(yè)。在這次展會上，天岳先進向公眾展示了他們最新開發(fā)的8英寸碳化硅襯底的技術(shù)進展。

天岳先進的首席技術(shù)官高超博士介紹說，目前該公司主要生產(chǎn)6英寸導電型碳化硅襯底，并且他們的上海臨港工廠已經(jīng)進入產(chǎn)品交付階段。此外，他們的8英寸產(chǎn)品也已經(jīng)具備了產(chǎn)業(yè)化能力。

根據(jù)本站了解，最近天岳先進采用液相法成功制備出了低缺陷的8英寸碳化硅晶體。通過熱場、溶液設(shè)計和工藝創(chuàng)新，天岳先進首次突破了碳化硅單晶的高質(zhì)量生長界面控制和缺陷控制難題。此外，他們采用最新技術(shù)制備的晶體厚度已經(jīng)突破了60毫米，這在大尺寸單晶高效制備方面也是行業(yè)內(nèi)的首創(chuàng)。

據(jù)了解，目前市場上主流的碳化硅晶片尺寸為6英寸，但8英寸襯底正成為技術(shù)演化的方向。國際大廠Wolfspeed、ROHM、英飛凌等公司也已經(jīng)開始布局8英寸襯底。相比于6英寸襯底，8英寸的面積增加了約78%，從同等條件下的8英寸襯底上切割出的芯片數(shù)量將提高近90%，這將有效降低單位綜合成本達50%。

今年5月，天岳先進與英飛凌簽訂了一項新的晶圓和晶錠供應(yīng)協(xié)議，將供應(yīng)碳化硅6英寸襯底，并且合作制備8英寸襯底。這一合作將進一步推動碳化硅襯底的產(chǎn)業(yè)化進程，為半導體行業(yè)的發(fā)展帶來新的機遇。